Especificaciones:

Factor de forma: M.2 2280

Interfaz: PCIe 4.0 x4 NVMe

Capacidad: 1 TB

NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC

Lectura/escritura secuencial: 7.450/6.9000 MB/s

Lectura/escritura aleatoria 4K: 1.400.000/1.550.000 IOPS

Resistencia (Total de bytes escritos): 1200 PB

Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ℃ Operating Temperature